Resumen de Desajuste reticular en heteroestructuras al-ga -as-gaas. Estudio por difraccion de rayos x
SE HAN ESTUDIADO LAS HETEROUNIONES AL GA - AS-GAAS INVOLUCRADAS EN LA ELABORACION DEL LASER DE GAAS EMISOR DE RADIACION INFRAROJA. SE HAN EFECTUADO MEDIDAS PRECISAS DE DIFERENCIA DE PARAMETRO CRISTALINO ENTRE SUBSTRATO DE GAAS Y EPITAXIA DE AL GA - AS CON UN ESPECTROGRAFO DE DOS CRISTALES Y PARA UNA SERIE DE COMPOSICIONES. DICHOS DATOS JUNTO CON LA DETERMINACION DEL RADIO DE CURVATURA PERMITEN EL CALCULO DE ESFUERZOS Y EL ESTABLECIMIENTO DEL ESTADO DE DEFORMACION ELASTICA A QUE ESTAN SOMETIDAS ESTAS ESTRUCTURAS. SE CARACTERIZAN LOS DEFECTOS INTRODUCIDOS POR LA DEPOSICION DE LA EPITAXIA MEDIANTE TOPOGRAFIA DE RAYOS X.
