Desajuste reticular en heteroestructuras al-ga -as-gaas. Estudio por difraccion de rayos x

• Autores: Eugènia Estop Graells
• Directores de la Tesis: Manuel Font Altaba (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat de Barcelona ( España ) en 1981
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Manuel Font Altaba (presid.), Salvador Galí Medina (secret.), André Gauthier (voc.), Ramón Coy Ill (voc.), Jose Luis Amoros Portoles (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Imperfecciones
      • Semiconductores
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • SE HAN ESTUDIADO LAS HETEROUNIONES AL GA - AS-GAAS INVOLUCRADAS EN LA ELABORACION DEL LASER DE GAAS EMISOR DE RADIACION INFRAROJA. SE HAN EFECTUADO MEDIDAS PRECISAS DE DIFERENCIA DE PARAMETRO CRISTALINO ENTRE SUBSTRATO DE GAAS Y EPITAXIA DE AL GA - AS CON UN ESPECTROGRAFO DE DOS CRISTALES Y PARA UNA SERIE DE COMPOSICIONES. DICHOS DATOS JUNTO CON LA DETERMINACION DEL RADIO DE CURVATURA PERMITEN EL CALCULO DE ESFUERZOS Y EL ESTABLECIMIENTO DEL ESTADO DE DEFORMACION ELASTICA A QUE ESTAN SOMETIDAS ESTAS ESTRUCTURAS. SE CARACTERIZAN LOS DEFECTOS INTRODUCIDOS POR LA DEPOSICION DE LA EPITAXIA MEDIANTE TOPOGRAFIA DE RAYOS X.