Resumen de Crecimiento por MBE de GaAs, AlGaAs y pozos cuánticos múltiples de AlAs/GaAs y su caracterización morfológica, eléctrica y óptica
El trabajo supone una aportación al campo de los semiconductores epitaxiados por haces moleculares, en los siguientes puntos: 1.- Ensayo de dopantes alternativos. 2.- Estudio de la estequiometría y morfología de la superficie que crece mediante difracción de electrones rasantes de alta energía (RHEED). 3.- Crecimiento de superredes semiconductoras del sistema Al-Ga-As incidiendo sobre sus características de emisión mediante la optimización de su diseño.
