Crecimiento por MBE de GaAs, AlGaAs y pozos cuánticos múltiples de AlAs/GaAs y su caracterización morfológica, eléctrica y óptica

• Autores: Jose Luis De Miguel Anton
• Directores de la Tesis: Fernando Briones Fernández-Pola (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 1986
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Antonio Hernando Grande (presid.), Francisco Batallan Casas (secret.), José Manuel Guerra Pérez (voc.), Elías Muñoz Merino (voc.), Juan Piqueras (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
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• Resumen

  • El trabajo supone una aportación al campo de los semiconductores epitaxiados por haces moleculares, en los siguientes puntos: 1.- Ensayo de dopantes alternativos. 2.- Estudio de la estequiometría y morfología de la superficie que crece mediante difracción de electrones rasantes de alta energía (RHEED). 3.- Crecimiento de superredes semiconductoras del sistema Al-Ga-As incidiendo sobre sus características de emisión mediante la optimización de su diseño.