Influencia de la concentración de centros profundos en las propiedades electricas de uniones p-n no abruptas. Aplicacion al sistema si: pt
- Autores: Juan Antonio Jiménez Tejada
- Directores de la Tesis: Juan Enrique Carceller Beltrán (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad de Granada ( España ) en 1992
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Pedro Cartujo Estebanez (presid.), Juan Antonio López Villanueva (secret.), Juan Barbolla Sánchez (voc.), Daniel Pardo Collantes (voc.), Luis A. Bailón Vega (voc.)
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- Resumen
Se han estudiado uniones graduales impurificadas con platino (difundido en un rango de temperatura 860 grados c-920 grados c). La espectroscopia de transitorios de niveles profundos, dlts, junto con un estudio teorico han permitido determinar el efecto de elegir un modelo apropiado para una estructura p-n y comprobar el efecto de altas concentraciones de centros profundos en este tipo de uniones. Bajo ciertas condiciones el modelo de union abrupta no permite explicar resultados procedentes de medidas capacitivas asi como puede resultar incorrecta la interpretacion normal de asociar cada maximo de dlts con un nivel de energia. Sin embargo, el modelo de una union gradual con dos niveles profundos, como en el caso del platino, si interpreta todos los resultados. Ademas, toda la caracterizacion experimental y numerica sobre el platino en el silicio realizada a lo largo de este trabajo, nos indica que el platino en el silicio crea un centro tripolar.
