A Dual Core Source/Drain GAA FinFET

• Autores: Prachuryya Subash Das, Deepjyoti Deb, Rupam Goswami, Santanu Sharma, Rajesh Saha, Hirakjyoti Choudhury
• Localización: Tecnología en Marcha, ISSN 0379-3982, ISSN-e 2215-3241, Vol. 36, Nº. Extra 6, 2023 (Ejemplar dedicado a: Edición especial IEEE Latin American Electron Devices Conference (LAEDC)), págs. 5-11
• Idioma: inglés
• Títulos paralelos:
  • Un FinFET GAA de fuente/drenaje de doble núcleo
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  • Texto completo (pdf)
• Resumen
  • español

    La aparición de transistores de efecto de campo en forma de aleta (FinFET) se rigió por el requisito de la industria VLSI de incluir más funcionalidades por unidad de área de chip. El control de puerta mejorado en un FinFET debido a una arquitectura de puerta circundante construida sobre la geometría fundamental de un MOSFET los hizo altamente compatibles con las aplicaciones de circuitos CMOS existentes. El anuncio de una estructura FinFET múltiple apilada verticalmente denominada Ribbon-FET por Intel Corporation en 2021 motiva el trabajo presentado en este artículo. Este artículo propone un FinFET completo de puerta de drenaje de fuente de doble núcleo y evalúa su rendimiento en términos de variación en las concentraciones de dopaje del núcleo a través de simulaciones de tecnología de diseño asistido por computadora (TCAD). La ventaja de tener un núcleo doble en las regiones de origen y drenaje es la oportunidad de ajustar las métricas de rendimiento del dispositivo alterando la concentración de dopaje en los núcleos externo e interno. Se presenta la respuesta de la arquitectura optimizada a la presencia de trampas de tipo aceptor y de tipo donante en la interfaz óxido/canal. Las trampas de tipo aceptor afectan las características en su estado activado, mientras que las trampas de tipo donante influyen en el estado desactivado del dispositivo. DIBL se reduce con la introducción de trampas de interfaz.

  • English

    The emergence of fin-shaped field effect transistors (FinFETs) was governed by the requirement of the VLSI industry to include more functionalities per unit chip area. Enhanced gate control in a FinFET due to a surrounding gate architecture built on the fundamental geometry of a MOSFET made them highly compatible to the existing CMOS circuit applications. The announcement of a vertically stacked multiple FinFET structure named as Ribbon-FET by Intel Corporation in 2021 motivates the work presented in this article. This article proposes a dual core source-drain gate-all-around FinFET, and evaluates its performance in terms of variation in core doping concentrations through technology computer aided design (TCAD) simulations. The advantage of having a dual core in source and drain regions is the opportunity to tune the performance metrics of the device by altering the doping concentration in the outer, and inner cores. The response of the optimized architecture to presence of acceptor-like, and donor-like traps in oxide/ channel interface is presented. The acceptor-like traps affect the characteristics in its on-state, whereas the donor-like traps influence the off-state of the device. DIBL reduces with the introduction of interface traps.