Periodo de publicación recogido
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Bias temperature instabilities in 4H SiC metal oxide semiconductor field effect transistors: Insight provided by electrically detected magnetic resonance
P.M. Lenahan, M.A. Anders, R.J. Waskiewicz, A.J. Lelis
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 81, 2018, págs. 1-6
Measurement considerations for evaluating BTI effects in SiC MOSFETs
Daniel B. Habersat, A.J. Lelis, Ronald Green
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 81, 2018, págs. 121-126
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