Periodo de publicación recogido
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Analysis of deep level defects in bipolar junction transistors irradiated by 2 MeV electrons
Yao Ma, Pengfei Xu, Mingyue Guan, Filippo Boi, Gao Bo, Ming Gong, Xue Wu, Yuxin Wang, Hua Wang, ZengQiang Niao
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 79, 2017, págs. 149-152
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