Periodo de publicación recogido
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Single Event Upset rate determination for 65 nm SRAM bit-cell in LEO radiation environments
Muhammad Sajid, N.G. Chechenin, Frank Sill Torres, Usman Ali Gulzari, Muhammad Usman Butt, Zhu Ming, E.U. Khan
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 78, 2017, págs. 11-16
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