Variación con la temperatura de la posición interfacial del nivel de Fermi en una estructura MOS: estudio por simulación

• Autores: Agustin de Dios Hernández, José Luis Orantes de la Fuente, Helena Castán Lanaspa, Luis A. Bailón Vega, Juan Barbolla Sánchez
• Localización: Diseño de circuitos integrados: actas del VI Congreso. Santander, 11/15 de noviembre de 1991, 1991, ISBN 84-87412-61-0, págs. 93-98
• Idioma: español
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• Resumen

  • Se ha aplicado la simulación para profundizar en el conocimiento de la física de un dispositivo semiconductor.

    Concretamente, se ha estudiado la evolución que experimenta la posición interfacial del nivel de Fermi en una capacidad MOS al variar la temperatura.

    Se ha observado que las variaciones son pequeñas, muy inferirores a la variación experimentada por la posición del nivel de Fermi en el volumen.

    Se ha realizado este estudio para diferentes sustratos, espesores de óxido y tensiones de polarización.