Hamid Z. Fardi

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• Artículos de revistas

  • Modeling dc gain performance of 4H‐SiC BJTs

    Hamid Z. Fardi

    Compel: International journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering, ISSN 0332-1649, Vol. 26, Nº 5, 2007, págs. 1236-1246

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  • Numerical investigation of carrier transport in double heterostructure:: AlGaAs/GaAs PNPN bistable device

    Hamid Z. Fardi

    Compel: International journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering, ISSN 0332-1649, Vol. 13, Nº 4, 1994, págs. 893-902

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  • Characterization of submicrometer GaAs MESFET using drift-diffusion simulator

    Hamid Z. Fardi

    Compel: International journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering, ISSN 0332-1649, Vol. 12, Nº 4, 1993, págs. 361-375

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