Periodo de publicación recogido
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A 126 mm² 4-Gb Multilevel AG-AND Flash Memory with Inversion-Layer-Bit-Line Technology
H. Kurata
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 90, Nº 11, 2007, págs. 2146-2156
A 130-nm CMOS 95-mm^2 1-Gb Multilevel AG-AND-Type Flash Memory with 10-MB/s Programming Throughput
Y. Sasago, T. Arigane, Keiji Yoshida, Y. Takase, T. Yoshitake, O. Tsuchiya, H. Kurata, K. Saeki, T. Kobayashi
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 10, 2006, págs. 1469-1479
Trends in High-Density Flash Memory Technologies
T. Kobayashi, H. Kurata, K. Kimura
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 10, 2004, pág. 1656
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