A 126 mm² 4-Gb Multilevel AG-AND Flash Memory with Inversion-Layer-Bit-Line Technology

• Autores: H. Kurata
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 90, Nº 11, 2007, págs. 2146-2156
• Idioma: inglés
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