Periodo de publicación recogido
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Characterization of HfO~2 Films Prepared on Various Surfaces for Gate Dielectrics
K. Yoshikawa, H. Hashimoto, T. Yamamoto, Y. Izumi, N. Sugiyama
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 1, 2004, pág. 17
Advanced SOI MOSFET's with Strained-Si/SiGe Heterostructures
S. I. Takagi, T. Mizuno, N. Sugiyama, A. Kurobe
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1423-1430
Strained-Si-on-Insulator (Strained-SOI) MOSFETs-Concept, Structures and Device Characteristics
T. Tezuka, A. Kurobe, S. I. Takagi, T. Mizuno, N. Sugiyama
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 8, 2001, págs. 1043-1050
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