Characterization of HfO~2 Films Prepared on Various Surfaces for Gate Dielectrics

• Autores: K. Yoshikawa, H. Hashimoto, T. Yamamoto, Y. Izumi, N. Sugiyama
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 1, 2004, pág. 17
• Idioma: inglés
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