Periodo de publicación recogido
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A Capacitorless Twin-Transistor Random Access Memory (TTRAM) on SOI
F. Morishita
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 90, Nº 4, 2007, págs. 765-771
M. Okamoto, H. Noda, K. Dosaka, K. Arimoto, T. Gyohten, F. Morishita, I. Hayashi
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 11, 2006, págs. 1519-1825
A Reliability-Enhanced TCAM Architecture with Associated Embedded DRAM and ECC
T. Koide, F. Morishita, H. Noda, K. Dosaka, H. J. Mattausch
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 11, 2006, págs. 1612-1619
A Study of Sense-Voltage Margins in Low-Voltage-Operating Embedded DRAM Macros
T. Amano, M. Haraguchi, H. Noda, A. Hachisuka, K. Dosaka, A. Yamazaki, F. Morishita, N. Watanabe
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 10, 2005, pág. 2020
A 0.18 mum 32 Mb Embedded DRAM Macro for 3-D Graphics Controller
I. Hayashi, H. Noda, N. Watanabe, F. Morishita, K. Dosaka, Y. Morooka, S. Soeda, A. Yamazaki, T. Fujino, K. Inoue
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 85, Nº 9, 2002, págs. 1697-1708
Dynamic Floating Body Control SOI CMOS for Power Managed Multimedia ULSIs
H. Ozaki, T. Yoshihara, F. Morishita, K. Arimoto, K. Fujishima
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 2, 2001, págs. 253-259
Analysis and Optimization of Floating Body Cell Operation for High-Speed SOI-DRAM
F. Morishita
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 3, 1999, págs. 545-552
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