Periodo de publicación recogido
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InP HEMT Technology for High-Speed Logic and Communications
T. Suemitsu, M. Tokumitsu
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 90, Nº 5, 2007, págs. 917-922
Gate and Recess Engineering for Ultrahigh-Speed InP-Based HEMTs
T. Suemitsu, T. Ishii, Y. Ishii
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1283-1288
Improved Carrier Confinement by a Buried p-Layer in the AlGaN/GaN HEMT Structure
K. Shiojima, N. Shigekawa, T. Suemitsu
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 12, 2000, págs. 1968-1970
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