Gate and Recess Engineering for Ultrahigh-Speed InP-Based HEMTs

• Autores: T. Suemitsu, T. Ishii, Y. Ishii
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1283-1288
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)