Periodo de publicación recogido
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Improved performances of a two-step passivated heterojunction bipolar transistor.
S.-Y. Cheng, S.-Y. Fu, K.-Y. Chu, T.-P. Chen, W.-C. Liu, L.-Y. Chen
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 2, 2008, págs. 200-203
Very wide current-regime operation of an InP/InGaAs tunneling emitter bipolar transistor (TEBT).
S.-Y. Cheng
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 8, 2007, págs. 1208-1212
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