Very wide current-regime operation of an InP/InGaAs tunneling emitter bipolar transistor (TEBT).

• Autores: S.-Y. Cheng
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 8, 2007, págs. 1208-1212
• Idioma: inglés
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