Periodo de publicación recogido
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Thermal annealing studies in epitaxial 4H-SiC Schottky barrier diodes over wide temperature range
P. Vigneshwara Raja, N. V. L. N. Murty
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 87, 2018, págs. 213-221
Analytical modelling of photo-effects on the S-parameters of GaAs MESFETs
N. V. L. N. Murty
Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 48, Nº. 1, 2006, págs. 150-154
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