NAnoestructuras de wo3 como capa activa de un sensor conductimétrico para la detección de h2

• Autores: M. Cruz Leal, O. Goiz, F. Chávez, G.F. Pérez Sánchez, C. Felipe
• Localización: Avances de investigación en nanociencias, micro y nanotecnologías 3 / coord. por Eduardo San Martín Martínez, 2021, ISBN 978-84-123480-1-9, págs. 47-64
• Idioma: español
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  • Se usó la técnica de deposición química en fase vapor por filamento caliente (HFCVD, por sus siglas en inglés) para sintetizar películas de óxido de tungsteno. La caracterización morfológica y estructural del material sintetizado se realizó a través de las técnicas de difracción de rayos X, microscopía electrónica de barrido y espectroscopia Raman. Las películas de óxido de tungsteno se emplearon como capa activa de un sensor de gas de tipo conductimétrico para la detección de hidrógeno. El dispositivo de sensado se diseñó mediante las técnicas de fotolitografía y evaporación de metales, empleando sustratos de silicio e interdigitados de Au. El dispositivo se probó en una cabina con flujo de aire sintético a distintas temperaturas (250, 300, 350 y 400 °C) y modificando la concentración de hidrógeno (200, 400 y 800 ppm). Las películas de óxido de tungsteno mostraron respuestas típicas de un semiconductor tipo n en presencia de un gas reductor. Los valores obtenidos para cada una de las concentraciones y temperaturas de operación permitieron determinar las condiciones óptimas de operación, a saber; 400 °C con 400 y 800 ppm de H2. Las interacciones sólido-gas que promueven los cambios en la respuesta de las películas de WO3 también se discuten en este trabajo.