Electrical properties of in situ phosphorus- and boron-doped polycrystalline SiGeC films

• Autores: I. M. Anteney, G. J. Parker
• Localización: Journal of dairy science, ISSN 0022-0302, Vol. 83, Nº 7, 2000, págs. 561-563
• Idioma: inglés
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