Photoelectric properties of the 0.44 eV deep level-to-band transition in gallium nitride investigated by optical admittance spectroscopy

• Autores: A. Krtschil
• Localización: Journal of dairy science, ISSN 0022-0302, Vol. 83, Nº 7, 2000, págs. 546-548
• Idioma: inglés
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