Análisis y simulación de transistores bipolares de heterounión de Si/SiGe, AlGaAs/GaAs y InP/InGaAs

• Autores: Juan Miguel López González, Lluís Prat Viñas
• Localización: Actas del IX Congreso de Diseño de Circuitos Integrados, 9, 10 y 11 de noviembre de 1994, Maspalomas, Gran Canaria, 1994, págs. 339-344
• Idioma: español
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• Resumen

  • En este trabajo se presentan algunos resultados obtenidos con un simulador numérico de transistores HBT. El simulador numérico desarrollado permite estudiar transistores bipolares de estructura de bandas arbitraria y analizar transistores HBT con discontinuidades en las bandas de energía, en las cuales no se puede utilizar el transporte de portadores por arrastre y difusión. Este simulador incorpora el efecto túnel. Se palica el simulador al análisis de transistores HBT de SI/SiGe, de AlGaAs, y de InP/InGaAs. Los resultados se comparan entre sí y con datos experimentales. De los resultados obtenidos resaltan las grandes perspectivas de los transistores HBT de InP/InGaAs, debido a su rapidez.