Resumen de Modelado y caracterización de BJTs laterales en tecnologías CMOS<3[mi]m

Belén Pérez Verdú, Francisco V. Fernández Fernández, Ángel Benito Rodríguez Vázquez, José Luis Huertas Díaz

• Se han caracterizado transistores bipolares laterales en tecnologías CMOS con resoluciones inferiores a 3[mi]m. Se han obtenido experimentalmente los parámetros más significativos y se ha estudiado la influencia de las dimensiones poniendo de manifiesto la necesidad de modelos teóricos más precisos. Por último, se ha detectado que el escalado puede degradar el funcionamiento de estos dispositivos.