Modelado y caracterización de BJTs laterales en tecnologías CMOS<3[mi]m

• Autores: Belén Pérez Verdú, Francisco V. Fernández Fernández, Ángel Benito Rodríguez Vázquez, José Luis Huertas Díaz
• Localización: Diseño de circuitos integrados: actas del VI Congreso. Santander, 11/15 de noviembre de 1991, 1991, ISBN 84-87412-61-0, págs. 75-80
• Idioma: español
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• Resumen

  • Se han caracterizado transistores bipolares laterales en tecnologías CMOS con resoluciones inferiores a 3[mi]m. Se han obtenido experimentalmente los parámetros más significativos y se ha estudiado la influencia de las dimensiones poniendo de manifiesto la necesidad de modelos teóricos más precisos. Por último, se ha detectado que el escalado puede degradar el funcionamiento de estos dispositivos.