An enhanced MOSFET threshold voltage model for the 6–300 K temperature range

• Autores: Nguyen Cong Dao, Abdallah El Kass, Mostafa Rahimi Azghadi, Craig T. Jin, Jonathan Scott, Philip H.W. Leong
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 69, 2017, págs. 36-39
• Idioma: inglés
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