Resumen de Medidas ópticas bajo altas presiones en celda de diamantes: Frente de abosrción de Telururo de Galio
Francisco Javier Manjón Herrera, A. Segura, V. Muñoz, Ch Power, J. González Hernández
Se han realizado medidas del frente fundamental de absorción del telururo de galio monocristalino bajo presión entre O y 30 kbar en una celda de yunques de diamante, en condiciones de temperatura ambiente y con luz no polarizada. El análisis del espectro de absorción mediante el modelo de Elliott-Toyozawa nos ha permitido obtener la variación de la energía del gap directo del semiconductor y de la energía de enlace del excitón directo con la presión. La aplicación del modelo de capas al GaTe, al igual que se ha aplicado a otros laminares de la familia 111-VI, ha permitido obtener los potenciales de deformación intercapa e intracapa, así como la dependencia de la constante dieléctrica con la presión.
