Se han realizado medidas del frente fundamental de absorción del telururo de galio monocristalino bajo presión entre O y 30 kbar en una celda de yunques de diamante, en condiciones de temperatura ambiente y con luz no polarizada. El análisis del espectro de absorción mediante el modelo de Elliott-Toyozawa nos ha permitido obtener la variación de la energía del gap directo del semiconductor y de la energía de enlace del excitón directo con la presión. La aplicación del modelo de capas al GaTe, al igual que se ha aplicado a otros laminares de la familia 111-VI, ha permitido obtener los potenciales de deformación intercapa e intracapa, así como la dependencia de la constante dieléctrica con la presión.
© 2001-2024 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados