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Medidas ópticas bajo altas presiones en celda de diamantes: Frente de abosrción de Telururo de Galio

  • Autores: Francisco Javier Manjón Herrera, A. Segura, V. Muñoz, Ch Power, J. González Hernández
  • Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 36, Nº. 2-3, 1997, págs. 298-301
  • Idioma: español
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  • Resumen
    • Se han realizado medidas del frente fundamental de absorción del telururo de galio monocristalino bajo presión entre O y 30 kbar en una celda de yunques de diamante, en condiciones de temperatura ambiente y con luz no polarizada. El análisis del espectro de absorción mediante el modelo de Elliott-Toyozawa nos ha permitido obtener la variación de la energía del gap directo del semiconductor y de la energía de enlace del excitón directo con la presión. La aplicación del modelo de capas al GaTe, al igual que se ha aplicado a otros laminares de la familia 111-VI, ha permitido obtener los potenciales de deformación intercapa e intracapa, así como la dependencia de la constante dieléctrica con la presión.


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