Resumen de InP y SiGe: dos competidores en la carrera de alta velocidad
En este artículo se hace una puesta al día de los dispositivos que actualmente juegan un papel más relevante en el área de la alta velocidad: los HEMT de InP y los HBT de InP y SiGe. Se justifican las causas de su superioridad (la alta movilidad de los electrones en el fosfuro de indio y las reducidas dimensiones que permite la tecnología de silicio), y se hacen previsiones de futuro.
