InP y SiGe: dos competidores en la carrera de alta velocidad

• Autores: Lluís Prat Viñas
• Localización: Mundo electrónico, ISSN 0300-3787, Nº 341, 2003, págs. 50-54
• Idioma: español
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• Resumen

  • En este artículo se hace una puesta al día de los dispositivos que actualmente juegan un papel más relevante en el área de la alta velocidad: los HEMT de InP y los HBT de InP y SiGe. Se justifican las causas de su superioridad (la alta movilidad de los electrones en el fosfuro de indio y las reducidas dimensiones que permite la tecnología de silicio), y se hacen previsiones de futuro.