Epitaxial Growth of SiGe Interband Tunneling Diodes on Si(001) and on Si~0~.~7Ge~0~.~3 Virtual Substrates (INVITED)

• Autores: M. Stoffel, Jian Zhang, O. G. Schmidt
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 921
• Idioma: inglés
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