Effects of Rapid Thermal Annealing on Bias-Stress-Induced Base Leakage in InGaP/GaAs Collector-Up Heterojunction Bipolar Transistors Fabricated with B Ion Implantation

• Autores: T. Taniguchi, K. Mochizuki, K. I. Tanaka, T. Shiota
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 943
• Idioma: inglés
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