Novel Structures for a 2-Bit per Cell of Nonvolatile Memory Using an Asymmetric Double Gate

• Autores: K. H. Kim, H. Lee, Y. K. Choi
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 5, 2006, pág. 578
• Idioma: inglés
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