Comparative Study on Breakdown Characteristics for InGaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistor and InGaAs/InP-Composite Channel Metamorphic High Electron Mobility Transistor

• Autores: B. O. Lim, S. W. Moon, D. H. Shin, S. D. Kim, S. G. Choi, J. H. Oh, B. H. Lee
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 5, 2006, pág. 616
• Idioma: inglés
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