Novel Fabrication Technology for High Yield Sub-100-nm-Gate InP-Based HEMTs

• Autores: M. Tokumitsu, H. Matsuzaki, T. Maruyama, T. Enoki
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 949
• Idioma: inglés
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