Enhancement-Mode AIGaN/GaN HEMTs with Low On-Resistance and Low Knee-Voltage

• Autores: K. J. Chen, Y. Cai, Y. Zhou, K. M. Lau
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 1025
• Idioma: inglés
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