Influence of NH~3-Plasma Pretreatment before Si~3N~4 Passivation Film Deposition on Current Collapse in AIGaN/GaN-HEMTs

• Autores: Y. Sano, S. Hoshi, T. Marui, M. Itoh
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 1052
• Idioma: inglés
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