Cubic GaN/AIGaN HEMTs on 3C-SiC Substrate for Normally-Off Operation

• Autores: J. Fernandez, J. Schormann, D. J. As, K. Lischka, M. Abe, H. Nagasawa, S. Potthast
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 1057
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)