A Compact Model of the Pinch-off Region of 100 nm MOSFETs Based on the Surface-Potential

• Autores: K. Hisamitsu, H. Ueno, M. Miura Mattausch, H. J. Mattausch, S. Kumashiro, D. Navarro, T. Mizoguchi, M. Suetake
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 5, 2005, pág. 1079
• Idioma: inglés
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