Characterization of Atom Diffusion in Polycrystalline Si/SiGe/Si Stacked Gate

• Autores: D. Azuma, S. Higashi, H. Murakami, Y. Moriwaki, M. Fujitake
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 4, 2005, pág. 646
• Idioma: inglés
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