Physical Origin of Stress-Induced Leakage Currents in Ultra-Thin Silicon Dioxide Films

• Autores: T. Endoh, K. Hirose, K. Shiraishi
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 90, Nº 5, 2007, págs. 955-961
• Idioma: inglés
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