Modeling of Channel Boron Distribution in Deep Sub-0.1æm n-MOSFETs

• Autores: S. Kumashiro, H. Sakamoto, K. Takeuchi
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 6, 1999, págs. 813-820
• Idioma: inglés
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