Improved IMD Characteristics in L/S-Band GaAs FET Power Amplifiers by Lowering Drain Bias Circuit Impedance

• Autores: K. Ishikura, J. Morikawa, H. Tsutsui, M. Kuzuhara, I. Takenaka, H. Takahashi, K. I. Asano
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 5, 1999, págs. 730-736
• Idioma: inglés
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