A Study of Electrical Characteristics Improvements in Sub-0.1 æm Gate Length MOSFETs by Low Temperature Operation

• Autores: M. Tsuno, S. Yokoyama, K. Shibahara
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 81, Nº 12, 1998, págs. 1913-1917
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)