The Analysis of the Stacked-Surrounding Gate Transistor (S-SGT) DRAM for the High Speed and Low Voltage Operation

• Autores: F. Masuoka, T. Endoh, K. Shinmei, H. Sakuraba
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 81, Nº 9, 1998, pág. 1491
• Idioma: inglés
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