Single Low 2.4-V Supply Operation GaAs Power MESFET Amplifier with Low-Distortion Gain-Variable Attenuator for 1.9-GHz PHS Applications

• Autores: K. K. Kawakyu, Y. Kitaura, A. Kameyama, N. Uchitomi, M. Nagaoka, H. Wakimoto, T. Seshita
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 81, Nº 6, 1998, pág. 911
• Idioma: inglés
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