O.1 æm-Gate InGaP/InGaAs HEMT Technology for Millimeter-Wave Applications

• Autores: Y. Ohashi, Y. Awano, M. Abe, K. Hikosaka, N. Harada, T. Saito, H. Oikawa
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 81, Nº 6, 1998, pág. 876
• Idioma: inglés
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