Modeling of hetero-interface potential and threshold voltage for tied and separate nanoscale InAlAs�InGaAs symmetric double-gate HEMT.

• Autores: S. Rathi, J. Jogi, M. Gupta, R.S. Gupta
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 12, 2009, págs. 1508-1514
• Idioma: inglés
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